瓦森納協議首增大硅片管制:14nm“精準打擊”中國半導體!

2020-04-02 11:09:00 | 來源:風聞 | 參與: 0 | 作者:半導體投資聯盟

  

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  集微網報道(記者 張軼群)就在國內12英寸大硅片(300mm晶圓)項目紛涌而起之際,去年底新修訂的《瓦森納協議》中,便“緊跟形勢”地增加了對于12英寸硅晶圓制造技術的出口管制內容。

  具體而言,新增內容直指當下國內正在尋求突破的針對于14nm制程的大硅片生產技術,在此之前,中芯國際已宣布14nm實現量產。

  “瓦森納新增部分對于12英寸大硅片技術的管制針對性非常強。當他們發現無法限制中國的14nm芯片制造之后,便將范圍擴大到上游14nm工藝硅片的生產技術上來。”一位業內人士告訴集微網。

  同光刻機類似,半導體硅片也是我國半導體產業鏈與國際先進水平差距最大的環節之一。目前我國12英寸大硅片百分之九十九以上來自進口,從生產技術、原材料到設備,幾乎均由國外企業把持。

  在新瓦森納協議“鎖喉”之下,中國大硅片產業亟待尋求突圍之策。行業人士呼吁,芯片制造企業不能只顧眼前利益,要下決心配合硅片制造商測試國產化硅片質量,從長遠利益出發,具有危機意識,雙方協同推進我國大硅片產業的快速發展。

  新“瓦森納”的憂慮:中國14nm節點的突破

  在去年年底新修訂的《瓦森納協議》中增加了兩條有關半導體領域的出口管制內容,主要涉及計算光刻軟件以及12英寸大硅片生產制造技術。

  對于大硅片技術管制的具體內容表述為:對300mm直徑硅晶圓的切割、研磨、拋光達到局部平整度的技術要求,在任意26mm*8mm的面積內平整度差小于等于20nm,以及邊緣去除方面小于等于2mm。

  一位國內的硅片廠商人士告訴集微網,這是行業內關于硅片平整度技術要求的最精準描述。換成通俗一點的說法,這一技術規范通常情況下對應的是針對14nm制程工藝的大硅片生產制造技術。在此要求之下,所有涉及到該指標的技術、設備等都在出口管制之內。

  “在40nm制程節點以下,對于晶圓片要求基本是差不多的,對應的技術節點主要是看光刻機下套準的精度是多少,精準度越高,平整度就要求越高,所以限制平整度絕對是專業手法。”該人士表示。

  對于新修訂的《瓦森納協議》,上述硅片廠商人士告訴集微網,他解讀出了兩個字:憂慮。

  “以前瓦森納協議中并沒有針對硅片的內容,此次新修訂的瓦森納協議首次增加了對于硅片部分的限制內容,來自于對中國在14nm工藝節點上取得突破的焦慮。可能他們認為如果不加以限制,會出大問題。”該人士表示。

  這個大問題可能來自于中國在14nm以及先進制程工藝節點上取得的重大突破。

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